ESD保护器件分类（TVS、压敏电阻、MLCC、ESD抑制器）

ESD保护器件主要有4大类，TVS二极管、压敏电阻、积层贴片电容器（MLCC）、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太同样。性能

以下是几种保护器件的特征。blog

下图中，放电模型是8kV、150pF/330Ω、接触放电。Vpeak和Vave（Vave指的是30-100ns之间的平均电压）越小，表明静电吸取能力越强，Vpeak和Vave和横坐标构成的图形面积越小，表明静电能力越强。class

图a，没有保护器件时，Vpeak最大到1500V，而后缓慢降低，Vave也达到400V。容器

图b，对ESD抑制器来讲，Vave可抑制在29V，由于触发电压的关系，Vpeak只能抑制在500V左右。im

图c，100nF的MLCC可能Vpeak抑制在23V左右，但由于电容内部注入过多的ESD电荷，几百纳秒后又发生大的电压峰值。总结

图d，TVS二极管的Vpeak和Vave都比较低。margin

图e，压敏电阻和TVS二极管差很少，Vpeak和Vave都比较低，静电吸取能力强，由于压敏电阻内部带有电容量成分，在Vpeak抑制上比TVS更有力。img

下图，带有100pF电容量的压敏电阻和100pF的MLCC，压敏电阻的ESD性能比MLCC好得多，压敏电阻除了电容的做用外，还有自己压敏电阻的做用。注入

 总结：co

一、对于MLCC，MLCC主要是靠电容量冲入ESD放电电流，电容量越大，ESD性能越好；高速信号中，电容大又会引发信号失真，电容量小ESD效果不佳，因此通常MLCC用在电源上或者是低速信号上。

二、对于TVS，抗ESD性能不错，TVS通常是最多见也是最经常使用的抗ESD器件。TVS的极间电容可选择性大，小到1pF如下，大的到50-100pF，因此通常在高速，电源或者是低速电路中均可以使用，高速信号中选择极间电容小的TVS，好比USB信号上选择小于1pF的TVS，电源和低速信号，能够选择极间电容稍大的TVS，好比几十pF。

三、对于ESD抑制器，内部电容量通常都是1pF如下，由于ESD抑制器的超低电容量，因此ESD抑制器的Vave特性比TVS好，Vpeak特性比TVS差。

四、对于压敏电阻来讲，价格比TVS低很多，抗ESD性能比TVS差。压敏电阻1pF如下电容较少，因此高速信号上使用会受限，由于内部电容量成分，通常压敏电阻的Vpeak特性比TVS好一点。