该AO3423采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS（ ON），低栅极电荷和操做与栅极电压低至2.5V 。这装置适合于用做负载开关或以PWM应用程序。这是ESD保护。标准产品AO3423是Pb-free （符合ROHS &索尼259规范）。AO3423L是一个绿色产品订购选项。 AO3423和AO3423L是电相同。
类别：分立半导体产品：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列：-
包装：剪切带（CT）
封装形式：贴片型
封装材料：金属封装
零件状态：在售
FET 类型：P沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V不一样 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：92 毫欧 @ 2A，10V不一样 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250?A不一样 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.6nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不一样 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：620pF @ 10VFET 功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工做温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-23-3L
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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