计算机组成原理实验—总线与数据通路

计算机组成原理实验—总线与数据通路

实验题目:总线与数据通路

预习内容:

1.主存(内部存储器)是半导体存储器。根据信息存储的机理不同可以分为两类:
⑴静态读写存储器(SRAM) ⑵动态读写存储器(DRAM)
2.SRAM存储器
⑴基本的静态存储元阵列 ⑵基本的SRAM逻辑结构 :SRAM芯大多采用双译码方式 ①存储体 ②地址译码器 ③读与写的互锁逻辑 ⑶读/写周期波形图 ①读周期:读出时间TAQ,读周期时间TRC ②写周期:写周期时间TWC,写时间TWD ③存取周期: 为控制方便,读周期时间TRC=写时间TWD
3.DRAM存储器
⑴DRAM存储位元的记忆原理 ①单管MOS动态存储单元电路 ⑵DRAM芯片的逻辑结构:DRAM芯片的管脚图,其中有两个电源脚、两个地线脚,为了对称,还有一个空脚(NC)。 ⑶读/写周期、刷新周期 ①读/写周期 ②DRAM的刷新
⑷存储器容量的扩充 ①存储器容量的扩展
实验目的与要求(及主要实验仪器、设备):
1.单总线任意时刻,只能有一对部件进行通信
2.总线实现各部件协调统一工作
实验要求
1.做好实验预习,复习全加器的原理,掌握实验元器件的功能特性。
2.按照实验内容与步骤的要求,独立思考,认真仔细地完成实验。
本次实验采用的主要设备:自带电脑、74LS374(一片),74LS245(一片),74LS273(一片),静态存储器MEMORY 6116(一片),8位数据排线(一片),与门(两片),与非门(一片),单脉冲(三片),开关若干,灯泡若干。

实验原理(方法与与原理分析):

1.地址总线的作用是传递地址信息,输出当前数据总线上发送信息的源地址或接收信息的目的地址。系统设有内存与外设两条地址总线,通过PC计数器提供内存(程序存储器)地址,并由地址寄存器AR传递内存(数据存储器)地址与外设地址。另外堆栈寄存器SP亦可视为地址寄存器,它的堆顶指向数据与程序指针存取地址。
2.总线传输实验框图如图4.1所示,它将几种不同的设备挂至总线上,有存储器、输入设备、输出设备、寄存器。这些设备都需要有三态输出控制,按照传输要求恰当有序的控制它们,就可实现总线信息传输。
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图4.1 总线传输实验框图
总线基本实验要求如下:根据挂在总线上的几个基本部件,设计一个简单的流程。
(1)输入设备将一个数输入R0 寄存器。
(2)输入设备将另一个数输入地址寄存器。
(3)将R0 寄存器中的数写入到当前地址的存储器中。
(4)将当前地址的存储器中的数用LED 数码管显示。

实验步骤(程序代码与实验过程):

  1. 选择实验设备:根据实验原理图,将所需要的组件从组件列表中拖到实验设计流程栏中。
    搭建实验流程:将已选择的组件进行连线(鼠标从一个引脚的端点拖动到另一组件的引脚端,即完成连线)。搭建好的实验流程图如图4.3所示。
  2. 初始化各芯片的控制信号,仔细检查无误后点击 【电源开/关】按钮接通电源。
    在这里插入图片描述

图4.2 总线基本实验流程图
3. 实验的具体操作步骤如图4.2 所示。
首先应关闭所有三态门(SW-B=1,CS=1,R0-B=1,LED-B=1),并将关联的信号置为:LDAR=0,LDR0=0,W/R(RAM)=1,W/R(LED)=1。然后参照如下操作流程,先给数据开关置数,打开数据输出三态门,开关LDR0置1,并双击旁边的单脉冲,使产生一个上升沿将数据输入到R0 中;然后继续给数据开关置数,开关LDAR置1 ,并双击旁边的单脉冲,使产生一个上升沿将数据输入到AR 中;关闭数据开关三态门 ,打开R0 寄存器输出控制(开关LDR0和开关R0-B都置0),使存储器处于写状态(W/R=0、CS=0)将R0 中的数写到存储器中;关闭存储器片选,关闭R0 寄存器输出(开关R0-B置0),使存储器处于读状态(W/R=1、CS=0)。
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实验结果(数据分析与结论):

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