1.7.5_NandFlash的擦除与烧写_P

有了前面的基础，擦除和烧写也是类似的。

下图是烧写的时序图。

1. 发出0x80命令；
2. 发出五个地址信号；
3. 写入数据；
4. 发出0x10命令；
5. 等待烧写完成。

需要注意的是，nand一次只能烧写一页数据，超过一页数据时需要重新发送进行一次烧写过程，擦除则是一次一块。

下图是擦除的时序图。

1. 发送0x60命令；
2. 发送三个字节的页地址；
3. 发送0xD0命令；
4. 等待擦除完成。

另外，再说一下位反转现象出现的主要原因：

1. 漂移效应（Drifting Effects）：随着时间流逝，Nand Flash中cell的电压值变得和原来不一样了；
2. 过渡编程效应，对某个页面的编程操作，即写操作，引起非相关的其他的页面某个位跳转；
3. 读操作产生的错误，对某个页进行读操作，导致对应的某个位的数据发生了永久性变化，即Nand Flash上该位的值变了。