MOSFET类型识别小结

对于非电子专业人员来说，MOSFET有耗尽型和增强型之分，也有P沟道和N沟道之分。那么怎么识别以及怎么使用呢。下面，本人谈一下自己的浅见，如有不足之处，请留言斧正。

1）P沟道与N沟道的识别。

MOSFET在导通时，传输电流的层为P沟道的，则为P沟道MOSFET；传输电流的层为N沟道的，则为N沟道MOSFET。

从原理图中看的话，可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。

从代表符号上来识别的话，则是可以看中间短线上的箭头方向，向内则为N沟道，向外则为P沟道。（想象PN结的指向，P在箭尾，N在箭头，靠近短线的则表明其属性）

2）耗尽型与增强型的识别。

由于MOSFET的导电能力就是在导电沟道形成的时候才具备的，形成沟道则认为其导通，沟道消失则认为其断开，沟道形成与断开均受VGS的控制。

耗尽型MOSFET表示，其沟道在不加电压Vgs的时候，是存在的，可以理解为常闭开关。但是在满足控制要求的电压后，则为断开。Vgs的作用就是通过电压，使沟道中的多子消散，从而使导电沟道中断，电流无法流通，开关断开。

增加型MOSFET则表示，其沟道在不加电压Vgs的时候，是不存在的，即理解为常开开关。但是在满足控制要求的电压后，则为闭合。Vgs的作用就是通过电压，使沟道中的多子汇聚，从而形成导电沟道，电流可以流通，开关闭合。

从代表符号上识别的方法，则看中部与门极紧邻的线为三条断线还是一条长线。三根断线则表示沟道本来不存在，本来为断开，加Vgs后才可闭合，因此为增强型MOSFET，如图1中的所示；一条长线则表示，沟道本来就存在，可以导电，加Vgs后才断开，因此为耗尽型MOSFET，如图2 中所示。

3）源极漏极的识别。

无论N沟道还是P沟道的MOSFET，符号中，与中间短线连在一起的为源极，另一极为漏极。

图1   N沟道与P沟道MOSFET原理示意图与对应符号

图2 耗尽型MOSFET原理图及其代表符号

4）二者使用中的区别（仅针对增加型MOSFET）。

a) N沟道MOSFET的电流流向为由D-->S，P沟道的电流流向为S-->D；

b) N沟道MOSFET要使N沟道中多子--电子汇聚，因此门极应为正电压，方可异性相吸，因此，Vgs为正电压。具体阀值电压请查看其datasheet。P沟道MOSFET要使P沟道中多子--空穴汇聚，因此门极应为负电压，方可异性相吸，因此，Vgs为负电压。具体阀值电压请查看其datasheet。

本文仅从入门者的角度，简单的介绍了一下MOSFET一些基本的识别方法，希望有助于对此不解者理解，避免在看图、绘图中出现困惑与错误。