GD32F303 往FLASH写入数据失败的问题

 最近项目中有一个需求，需要将数据写入GD32F303的FLASH中保存，由于之前是使用的STM32F301，而其同系列产品STM32F303是可以和GD32F303 Pin to Pin的，所以就根据GD提供的库直接将代码移植了过来。

 为了不影响程序的下载，将数据存在MCU FLASH的最后几页中。根据GD的参考手册，GD32F303CC拥有512K的FLASH，每一页有2KB，共256页，地址从0x0800 0000 - 0x0808 0FFF。于是选择了最后4页来存放数据，即地址从0x0807 E000 -0x0808 0FFF。

 代码编译成功后，进行仿真，打开内存窗口查看指定地址0x0807 E000，发现数据仍是默认的FF，并未写入成功。

 但是程序编译并未出问题，也可正常运行，于是又回头查看芯片的参考手册，发现了之前没有注意到的一句话：

 即在前256K的字节内，CPU执行指令没有延迟，但是超出这个范围后，当CPU抓取指令时就会有一个较长的延迟。这时，我又查看了Keil的target option的IROM定义和工程的Memory map：

 发现这两处的IROM大小为0x40000，转换后也就是256K，也就是说，虽然该芯片有512K的FLASH，但是默认是只用前256K的，或许就是因此，往后面几页地址写入数据就失败了。于是修改了数据的存放地址为0x0803 E000-0x080 40000，也就是前256K字节的末尾几页，之后再次进行烧写调试，结果成功写入：

 可以看到，从0x0803 E000开始的一片地址被成功写入了0 （字节数刚好等于我写入的数据字节大小）。